近年來，隨著政府和企業(yè)的努力，國產(chǎn)內(nèi)存芯片的市場呈現(xiàn)穩(wěn)中有升的形勢，據(jù)海關(guān)總署數(shù)據(jù)，2017年一季度，我國芯片進(jìn)口額為505.16億美元，同比上漲7.62%。企業(yè)紛紛加大研發(fā)與建廠，推動中國存儲芯片的量產(chǎn)化，以長江存儲、晉華、長鑫等為代表。

       據(jù)悉，前不久，長江存儲的3D NAND閃存已經(jīng)獲得第一筆訂單，總計10776顆芯片，將用于8GB USD存儲卡產(chǎn)品；明年，長江存儲還將開始64層堆疊閃存。今年1月，合肥DRAM一期一廠廠房建設(shè)完成，并開始設(shè)備安裝，年底將啟動生產(chǎn)8GB DDR4工程樣品，預(yù)計2019年底實現(xiàn)單月產(chǎn)能2萬片。今年4月，晉華集成電路存儲器生產(chǎn)線項目舉行鋼結(jié)構(gòu)吊裝儀式。

        在內(nèi)存芯片的前沿技術(shù)上，中國的科研人員也在不斷取得新突破，近日，中國投資130億元開建PCM相變內(nèi)存，性能是普通存儲芯片的1000倍。由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)、周鵬帶領(lǐng)的團(tuán)隊研發(fā)了一種新的二維非易失性存儲芯片，是傳統(tǒng)二維存儲芯片的100萬倍，刷新時間是內(nèi)存的156倍。

        總結(jié)：盡管國內(nèi)的內(nèi)存芯片廠商取得了一些成績，但我們得清醒地認(rèn)識到，在核心技術(shù)、市場份額、人才儲備等方面，差距仍然很大。近年來，很多國外廠商以知識產(chǎn)權(quán)等方式壓制國內(nèi)廠商，這更要求企業(yè)擁有自己的核心技術(shù)。

        存儲芯片的國產(chǎn)化是未來國家戰(zhàn)略的一部分，企業(yè)除了閉門造車，也得時刻關(guān)注政策、市場變化，通過產(chǎn)業(yè)鏈引導(dǎo)來滿足更多規(guī)模的應(yīng)用，只有讓相關(guān)產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)享受到經(jīng)濟(jì)收益，才能發(fā)揮存儲芯片的價值，做出最有市場價值的存儲芯片。